雷電沖擊發(fā)生器可產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)雷電波、操作波、雷電截波、振蕩雷電波，振蕩操作波、線(xiàn)路絕緣子陡波，合成絕緣子陡波和變壓器感應(yīng)操作波共八種沖擊電壓波形，技術(shù)指標(biāo)符合標(biāo)準(zhǔn)和IEC標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，己通過(guò)部級(jí)鑒定。
雷電沖擊發(fā)生器試驗(yàn)環(huán)境
雷電沖擊試驗(yàn)的測(cè)試環(huán)境。使用帶有外部SMPS 適配器的LCD TV作為EUT 。雷電沖擊發(fā)生器是一個(gè)能產(chǎn)生特定波形的理想電壓源，它有一個(gè)固定的輸出阻抗。交流電源通過(guò)隔離變壓器對(duì)SMPS 適配器供電，對(duì)于差模沖擊試驗(yàn)，沖擊電壓施加在SMPS 適配器的交流電源線(xiàn)之間，而對(duì)于共模沖擊試驗(yàn)，則施加在一條交流電源線(xiàn)和機(jī)頂盒調(diào)諧器的輸入插座上的地連接之間。在每個(gè)電壓步長(zhǎng)(2kV-16kV)和每種極性上，分別進(jìn)行5次試驗(yàn)。
雷電沖擊發(fā)生器的設(shè)計(jì)考慮
PCB的主要地線(xiàn)設(shè)計(jì)。IC引腳是否會(huì)檢測(cè)到噪聲信號(hào)，與PCB 的設(shè)計(jì)密切相關(guān)。因此PCB 設(shè)計(jì)的方針就是將I2 和I3分流到不會(huì)被IC 檢測(cè)到的其它路徑上。建議對(duì)下列地線(xiàn)使用“星形”連接，它們是小信號(hào)IC 地線(xiàn)；大電流CS 地線(xiàn)；輸入橋式整流器地線(xiàn)；MOSFET 散熱器地線(xiàn)；Y 電容地線(xiàn)(如果Y 電容被連接在變壓器初級(jí)線(xiàn)圈地線(xiàn)和次級(jí)線(xiàn)圈地線(xiàn)之間) ；變壓器輔助繞組地線(xiàn)。
在某些情況下，由于在正常工作時(shí)，信噪比太低，因此輔助繞組的地線(xiàn)必須直接連接到IC的地引腳，這樣I3在雷擊時(shí)不可避免地會(huì)影響IC 管腳。在這種情況下，一種提高對(duì)雷電噪聲抵抗能力的方法就是將與輔助繞組的地相連的PCB 引線(xiàn)設(shè)計(jì)得盡可能粗以得到較低的阻抗Z。
初級(jí)線(xiàn)圈GND 和次級(jí)線(xiàn)圈GND 之間的Y 電容。電容C4的作用是旁路EMI 噪聲。除了連到初級(jí)線(xiàn)圈的地之外，有時(shí)也能將C4連到儲(chǔ)能電容的正極來(lái)達(dá)到旁通EMI 噪聲的目的。
這樣做將雷電沖擊電流I2分流到儲(chǔ)能電容的正極，不會(huì)再對(duì)IC 地電平產(chǎn)生影響。但是，如果出于其它的考慮而不能實(shí)現(xiàn)，那么C4就只能被連到初級(jí)線(xiàn)圈的地端，因此就必須使用上星形連接。
變壓器隔離和屏蔽。I3電流的大小由變壓器的隔離電壓決定。如果變壓器的隔離電壓低于雷擊電壓，則會(huì)在初級(jí)線(xiàn)圈和次級(jí)線(xiàn)圈之間發(fā)生瞬時(shí)擊穿，并且會(huì)產(chǎn)生很大的沖擊電流。除此之外，很大的沖擊電流還會(huì)對(duì)IC 造成干擾，次級(jí)整流器的二極管也會(huì)在瞬時(shí)擊穿時(shí)承受很高的電壓應(yīng)力，甚至被毀壞。因此，建議使變壓器的隔離電壓高于雷電沖擊試驗(yàn)電壓。
